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一种大尺寸超薄铌酸锂基片的双面抛光方法

基本信息

申请号 CN201911075696.3 申请日 -
公开（公告）号 CN110744364B 公开（公告）日 2021-07-13
申请公布号 CN110744364B 申请公布日 2021-07-13
分类号 B24B1/00;C30B33/10;C30B29/30 分类 磨削；抛光;
发明人 沈浩;王勤峰;徐秋峰;朱海瀛;丁孙杰;曹焕;汤卓伦 申请（专利权）人 天通控股股份有限公司
代理机构 浙江杭州金通专利事务所有限公司 代理人 王丽丹
地址 314412 浙江省嘉兴市海宁市盐官镇建设路1号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种大尺寸超薄铌酸锂基片的双面抛光方法，包括如下步骤：a）将切割后的大尺寸超薄铌酸锂晶片研磨后获得表面具有粗糙结构的大尺寸超薄铌酸锂双面研磨片；b）然后进行双面减薄，超声清洗，获得表面具有粗糙结构的大尺寸超薄铌酸锂双面减薄片；c）在盛有硝酸、氢氟酸和缓释剂均匀混合的密闭容器中直接进行化学腐蚀，获得表面随机无序凹坑结构的大尺寸超薄铌酸锂腐蚀片；d）用双面抛机和抛光液进行双面抛光，再进行超声清洗，获得最终的大尺寸超薄铌酸锂双抛片。本发明一次抛光，批量生产，抛光效率高，生产的铌酸锂基片表面平坦度高，这一特征决定了铌酸锂基片在器件应用中不易破碎，材料利用率高，加工成品率高。