一种自带短路保护的功率MOSFET
基本信息
| 申请号 | CN202011419731.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112531650A | 公开（公告）日 | 2021-03-19 |
| 申请公布号 | CN112531650A | 申请公布日 | 2021-03-19 |
| 分类号 | H02H7/20(2006.01)I;H02H3/08(2006.01)I | 分类 | 发电、变电或配电; |
| 发明人 | 钟任生 | 申请（专利权）人 | 华羿微电子股份有限公司 |
| 代理机构 | 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人 | 侯芳;郭永丽 |
| 地址 | 710018陕西省西安市未央区经济技术开发区草滩生态产业园尚稷路8928号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及功率MOSFET的技术领域，更具体的涉及一种自带短路保护的功率MOSFET，其包括主功率管，其为双源极功率MOSFET，所述双源极功率MOSFET包括第一源极和第二源极；短路保护电路，其通过所述第二源极、双源极功率MOSFET的栅极与所述双源极功率MOSFET连接；其中，所述第一源极为双源极功率MOSFET向外引出的源极。本发明在主功率管的源极和栅极连接短路保护电路，其采用的短路保护电路能快速切断主功率管的栅极的驱动电流，极大地提高了安全性能。 |
