一种TrenchMOS功率器件
基本信息
| 申请号 | CN202021493617.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN212587514U | 公开（公告）日 | 2021-02-23 |
| 申请公布号 | CN212587514U | 申请公布日 | 2021-02-23 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I; | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杨科;夏亮;袁力鹏;完颜文娟;常虹 | 申请（专利权）人 | 华羿微电子股份有限公司 |
| 代理机构 | 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人 | 党娟娟;郭永丽 |
| 地址 | 710018陕西省西安市未央区经济技术开发区草滩生态产业园尚稷路8928号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种Trench MOS功率器件，涉及半导体功率器件技术领域。用于降低器件导通电阻的同时，可以有效保障击穿电压。包括：外延层，栅极沟槽和注入埋层；所述栅极沟槽设置在所述外延层上；所述注入埋层位于所述栅极沟槽的正下方，且与所述栅极沟槽的底部以及侧壁相接触，所述注入埋层包括N型埋层和P型埋层。 |
