采用多芯片堆叠结构的功率分立器件
基本信息
| 申请号 | CN202021335170.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN212587507U | 公开（公告）日 | 2021-02-23 |
| 申请公布号 | CN212587507U | 申请公布日 | 2021-02-23 |
| 分类号 | H01L25/18(2006.01)I; | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杨伊杰;蒋卫娟;缑娟;孙炎权 | 申请（专利权）人 | 华羿微电子股份有限公司 |
| 代理机构 | 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人 | 郭永丽;侯芳 |
| 地址 | 710018陕西省西安市未央区经济技术开发区草滩生态产业园尚稷路8928号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型属于功率器件封装结构的技术领域，具体涉及一种采用多芯片堆叠结构的功率分立器件，其包括散热基板；至少两个芯片，其粘接在所述散热基板上；其中，所述至少两个芯片与所述散热基板之间，或者所述至少两个芯片之间，均设有导电银浆层。本实用新型的结构既能保证功率器件的散热要求，又实现大功率器件封装结构小型化的目的。 |
