一种沟槽MOSFET器件
基本信息
| 申请号 | CN202021384299.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN212587512U | 公开（公告）日 | 2021-02-23 |
| 申请公布号 | CN212587512U | 申请公布日 | 2021-02-23 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I; | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 袁力鹏;唐呈前;李生龙;杨科;夏亮;完颜文娟;常虹 | 申请（专利权）人 | 华羿微电子股份有限公司 |
| 代理机构 | 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人 | 党娟娟;郭永丽 |
| 地址 | 710018陕西省西安市未央区经济技术开发区草滩生态产业园尚稷路8928号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种沟槽MOSFET器件，涉及半导体功率器件领域。用于解决现有MOSFET外围耐压存在可靠性较差和外围耐压较弱的问题。包括：有源区沟槽，外围沟槽和外延层；所述外延层上设置所述有源区沟槽和外围沟槽；所述外围沟槽的宽度大于所述有源区沟槽的宽度；所述外围沟槽的深度大于所述有源区沟槽的深度；所述外围沟槽之间的间距与所述有源区沟槽之间的间距相等；所述外围沟槽内的SAC氧化层的厚度大于所述有源区沟槽内的栅极氧化层的厚度。 |
