一种TrenchVDMOS器件
基本信息
| 申请号 | CN202022317533.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN212587515U | 公开（公告）日 | 2021-02-23 |
| 申请公布号 | CN212587515U | 申请公布日 | 2021-02-23 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I; | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 夏亮 | 申请（专利权）人 | 华羿微电子股份有限公司 |
| 代理机构 | 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人 | 郭永丽;党娟娟 |
| 地址 | 710018陕西省西安市未央区经济技术开发区草滩生态产业园尚稷路8928号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种Trench VDMOS器件，涉及半导体功率器件技术领域。用于解决因Trench VDMOS极限工艺能力和Trench VDMOS结构的特殊性，导致元胞最小尺寸只能做到0.8微米的问题。该器件包括：沟槽、第一导电类型漂移层、第一导电类型体区、第二导电类型源区、第一导电类型重掺杂区、接触孔；多个所述沟槽位于所述第一导电类型漂移层内；所述第一导电类型体区位于所述第一导电类型漂移层内，且位于所述沟槽两侧；第二导电类型源区在所述沟槽的长度方向与所述第一导电类型重掺杂区间隔排列；所述接触孔的下表面与所述第一导电类型重掺杂区的上表面相接触。 |
