一种MOSFET器件及制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202011220096.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112234103A | 公开（公告）日 | 2021-01-15 |
| 申请公布号 | CN112234103A | 申请公布日 | 2021-01-15 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 完颜文娟;袁力鹏;范玮;常虹 | 申请（专利权）人 | 华羿微电子股份有限公司 |
| 代理机构 | 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人 | 华羿微电子股份有限公司 |
| 地址 | 710018陕西省西安市未央区经济技术开发区草滩生态产业园尚稷路8928号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种MOSFET器件及制备方法，涉及半导体功率器件领域。用于解决现有MOSFET外围耐压存在可靠性较差和外围耐压较弱的问题。包括：有源区沟槽，外围沟槽，第一导电类型漂移层、第一导电类型体区和第二导电类型源区；所述第一导电类型漂移层上设置所述有源区沟槽和外围沟槽；所述有源区沟槽之间、所述有源区沟槽与所述外围沟槽之间设置所述第二导电类型源区，所述第二导电类型源区的底部与所述第一导电类型体区的上表面相接触；所述外围沟槽内的SAC氧化层的厚度大于所述栅极氧化层的厚度。 |
