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一种MOSFET器件终端及制备方法

基本信息

申请号	CN202011167534.5	申请日	-
公开（公告）号	CN112201695A	公开（公告）日	2021-01-08
申请公布号	CN112201695A	申请公布日	2021-01-08
分类号	H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	袁力鹏;范玮;完颜文娟;常虹	申请（专利权）人	华羿微电子股份有限公司
代理机构	广州三环专利商标代理有限公司	代理人	华羿微电子股份有限公司
地址	710018陕西省西安市未央区经济技术开发区草滩生态产业园尚稷路8928号
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种MOSFET器件终端及制备方法，涉及半导体功率器件领域。用于解决现有钝化层制备存在工艺复杂以及成本较高的问题。包括：所述源极区金属层、所述栅极区金属层、所述外围截至区金属层均分布在隔离氧化层上表面，且所述源极区金属层、所述栅极区金属层、所述外围截至区金属层之间均分布有所述dummy金属层；所述隔离氧化层上表面、所述dummy金属层、所述源极区金属层、所述栅极区金属层、所述外围截至区金属层的上表面和侧壁上均设置一层所述氮化硅层；所述dummy金属层之间、所述dummy金属层与所述源极区金属层之间、所述dummy金属层与栅极区金属层之间、所述dummy金属层与所述外围截至区金属层之间还设置所述硅玻璃层。