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高可靠的碳化硅MOSFET器件及其工艺方法

基本信息

申请号	CN202110274452.9	申请日	-
公开（公告）号	CN113066867A	公开（公告）日	2021-07-02
申请公布号	CN113066867A	申请公布日	2021-07-02
分类号	H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336	分类	基本电气元件;
发明人	朱袁正;黄薛佺;杨卓	申请（专利权）人	无锡新洁能股份有限公司
代理机构	无锡市兴为专利代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	屠志力
地址	214000 江苏省无锡市高浪东路999号B1号楼2层
法律状态	-

摘要

本发明提供一种高可靠的碳化硅MOSFET器件，包括N+型漏极06和漏极金属09，在N+型漏极06上设有N型外延层04作为MOSFET器件的漂移区，在N型外延层04上方设有两个P型体区03，在P型体区03内设有N+型源极02，在N+型源极02外侧设有P+型源极01，在N型外延层04表面还设有栅极氧化层10，栅极氧化层10起始并终于两个相邻的N+型源极02上方，栅极氧化层10上方设有栅极多晶硅05，N+型源极02和P+型源极01表面还设有源极金属08，源极金属08和栅极多晶硅05之间设有绝缘介质层07隔离；P型体区03由两次P型注入形成，第一P型体区03a的结深比第二P型体区03b的结深浅，且第一P型体区03a的注入宽度大于第二P型体区03b的注入宽度。提升了SiC器件的短路能力。