沟槽型功率半导体器件及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202110534213.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113314589A | 公开（公告）日 | 2021-08-27 |
| 申请公布号 | CN113314589A | 申请公布日 | 2021-08-27 |
| 分类号 | H01L29/06（2006.01）I;H01L27/088（2006.01）I;H01L21/8234（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 朱袁正;叶鹏;周锦程;王根毅;周永珍 | 申请（专利权）人 | 无锡新洁能股份有限公司 |
| 代理机构 | 无锡市兴为专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 屠志力 |
| 地址 | 214000江苏省无锡市高浪东路999号B1号楼2层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及沟槽型功率半导体器件及其制造方法。该器件包括基底层；栅极结构，其形成于栅区中，从基底层的上表面向下延伸；每个栅极结构均包括栅部和栅总线部，与栅部交界的栅总线部的边缘形成栅连接部，每个栅极结构的栅连接部均延伸至连接相邻的栅极结构；依次连接的栅连接部将有源区分为栅总线区和其他有源区；终端保护结构，其形成于终端环区中；互连层，其包括栅极互连层和源互连层，栅极互连层覆盖在栅总线区上，与栅总线部欧姆接触；源互连层覆盖在其他有源区上，与源极结构欧姆接触；栅极互连层的边缘与源互连层的边缘之间相间隔。该方法用于形成上述器件结构。 |
