降低开关损耗的半导体器件及其制作方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

降低开关损耗的半导体器件及其制作方法

基本信息

申请号	CN202110274169.6	申请日	-
公开（公告）号	CN113066865A	公开（公告）日	2021-07-02
申请公布号	CN113066865A	申请公布日	2021-07-02
分类号	H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336	分类	基本电气元件;
发明人	朱袁正;黄薛佺;杨卓	申请（专利权）人	无锡新洁能股份有限公司
代理机构	无锡市兴为专利代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	屠志力
地址	214000 江苏省无锡市高浪东路999号B1号楼2层
法律状态	-

摘要

本发明提供一种降低开关损耗的半导体器件，包括漏极金属，在漏极金属上设有第一导电类型硅衬底，在第一导电类型硅衬底上设有第一导电类型外延层，在第一导电类型外延层内设有互相间隔的第一导电类型柱与第二导电类型柱，在第一导电类型柱和第二导电类型柱的表面设有第二导电类型体区，在第二导电类型体区内设有重掺杂第一导电类型源区和第二导电类型源区，第一导电类型源区和衬底金属电连接，第二导电类型源区和源极金属电连接，在第一导电类型柱内设有栅极沟槽；栅极沟槽内部设有分离的栅极多晶硅，第一栅极多晶硅位于沟槽表面，第二栅极多晶硅位于沟槽底部，第一栅极多晶硅和第二栅极多晶硅之间被氧化层隔离，第一栅极多晶硅和第二栅极多晶硅绝缘。器件开启、关断速度快。