屏蔽栅沟槽型半导体器件及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202110702123.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113471278A | 公开（公告）日 | 2021-10-01 |
| 申请公布号 | CN113471278A | 申请公布日 | 2021-10-01 |
| 分类号 | H01L29/423（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/28（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 朱袁正;叶鹏;朱晨凯;杨卓;周锦程;刘晶晶 | 申请（专利权）人 | 无锡新洁能股份有限公司 |
| 代理机构 | 无锡市兴为专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 屠志力 |
| 地址 | 214000江苏省无锡市高浪东路999号B1号楼2层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种屏蔽栅沟槽型半导体器件及其制造方法。其中，器件包括基底层，基底层中形成有多条第一沟槽，相邻两条第一沟槽之间形成第二沟槽，第一沟槽从基底层的上表面向下延伸第一深度，第二沟槽从基底层的上表面向下延伸第二深度；第二深度小于第一深度；第一沟槽中形成有屏蔽电极和第一栅电极，屏蔽电极与第一栅电极之间、屏蔽电极与第一沟槽侧壁之间、以及第一栅电极与第一沟槽的侧壁之间均隔离有氧化层；第二沟槽中形成有第二栅电极，第二栅电极与第二沟槽的侧壁之间隔离有氧化层；相邻第一沟槽和第二沟槽之间的基底层上层形成源极结构。方法用于制造上述器件。 |
