半导体器件及制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202110274455.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113066853A | 公开（公告）日 | 2021-07-02 |
| 申请公布号 | CN113066853A | 申请公布日 | 2021-07-02 |
| 分类号 | H01L29/06;H01L27/02 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 朱袁正;周锦程;叶鹏;杨卓;刘晶晶 | 申请（专利权）人 | 无锡新洁能股份有限公司 |
| 代理机构 | 无锡市兴为专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 屠志力 |
| 地址 | 214000 江苏省无锡市高浪东路999号B1号楼2层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件，包括：P型衬底，在P型衬底上设有N型掺杂外延层，在N型掺杂外延层上设有高压区和低压区，在高压区与低压区之间设有高低压结终端区，在低压区和高低压结终端区之间设有第一P型隔离柱，在高压区和高低压结终端区之间设有第二P型隔离柱，在第一P型隔离柱上连接第二P型隔离柱，所述第一P型隔离柱和第二P型隔离柱形成一个或多个封闭区域，高压器件设置在所述封闭区域中。所述高压器件为JFET器件、LDMOS器件、LIGBT器件、功率二极管器件中的一种或多种。本发明提高了芯片面积的利用率，从而降低了集成电路的成本。 |
