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碳化硅MOSFET器件及其工艺方法

基本信息

申请号	CN202110274425.1	申请日	-
公开（公告）号	CN113066866A	公开（公告）日	2021-07-02
申请公布号	CN113066866A	申请公布日	2021-07-02
分类号	H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336	分类	基本电气元件;
发明人	朱袁正;黄薛佺;杨卓	申请（专利权）人	无锡新洁能股份有限公司
代理机构	无锡市兴为专利代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	屠志力
地址	214000 江苏省无锡市高浪东路999号B1号楼2层
法律状态	-

摘要

本发明提供一种碳化硅MOSFET器件，包括高浓度N型漏极及漏极金属，在所述高浓度N型漏极上设有N型外延层作为MOSFET器件的漂移区，在所述N型外延层上方设有间隔的P型体区，在所述P型体区内设有高浓度的N型源极，在所述N型源极外侧设有高浓度的第一P型源极，在所述N型外延层表面还设有栅极氧化层，所述栅极氧化层起始并终于两个相邻的N型源极上方，所述栅极氧化层上方设有栅极多晶硅，所述N型源极和第一P型源极表面还设有源极金属，所属源极金属和栅极多晶硅之间设有绝缘介质层隔离；所述P型体区和N型源极在Y方向上间隔向内凹陷，且所述P型体区包围N型源极，所述凹陷区域内设有高浓度的第二P型源极。本发明提高了器件的短路能力。