快恢复功率MOSFET及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202110908107.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113437137A | 公开（公告）日 | 2021-09-24 |
| 申请公布号 | CN113437137A | 申请公布日 | 2021-09-24 |
| 分类号 | H01L29/06（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 朱袁正;叶鹏;杨卓;周锦程;刘晶晶 | 申请（专利权）人 | 无锡新洁能股份有限公司 |
| 代理机构 | 无锡市兴为专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 屠志力 |
| 地址 | 214028江苏省无锡市新吴区电腾路6号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种快恢复功率MOSFET，包括第一导电类型衬底，其上方设有第一导电类型外延层，在所述第一导电类型外延层表面设有沟槽，在所述沟槽的底部设有绝缘介质块，在所述绝缘介质块的上表面以及绝缘介质块上方的沟槽的侧壁设有场氧层，所述场氧层包裹着屏蔽栅多晶硅，在所述沟槽的顶部设有栅极多晶硅，所述栅极多晶硅与屏蔽栅多晶硅之间设有层间介质，所述栅极多晶硅与第一导电类型源区、第二导电类型体区、第一导电类型外延层相邻，并通过栅氧层绝缘，本发明能够降低反向恢复电荷，加快反向恢复，降低能量损耗，减小栅极震荡效应。 |
