高温度稳定型低介电常数微波介质陶瓷及其制备方法

基本信息

申请号 CN202111368483.7 申请日 -
公开(公告)号 CN113896524A 公开(公告)日 2022-01-07
申请公布号 CN113896524A 申请公布日 2022-01-07
分类号 C04B35/465(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I 分类 水泥;混凝土;人造石;陶瓷;耐火材料〔4〕;
发明人 吉岸;王晓慧;金镇龙 申请(专利权)人 无锡鑫圣慧龙纳米陶瓷技术有限公司
代理机构 苏州国诚专利代理有限公司 代理人 李小叶
地址 214177江苏省无锡市惠山区中恵路518-3号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种高温度稳定型低介电常数微波介质陶瓷,其组成表达式为aMgSiO3‑bMgTiO3‑cZnTiO3‑dLiNdTi2O6‑eCaTiO3,其中,a、b、c、d和e分别独立表示摩尔百分比,并满足以下条件:10mol%≤a≤20mol%,65mol%≤b≤75mol%,2mol%≤c≤10mol%,2mol%≤d≤10mol%,5mol%≤e≤10mol%,a+b+c+d+e=100mol%。本发明还公开了该高温度稳定型低介电常数微波介质陶瓷的制备方法。该微波介质陶瓷具有优异的微波介电性能,其烧结温度低,并兼具较高的Q值和近零的可调频率温度系数,温度稳定性好,且制备原料无毒、价格低廉,制备工艺简单。