一种低功率半导体元器件及其基本电路
基本信息
| 申请号 | CN202011623678.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112838471A | 公开（公告）日 | 2021-05-25 |
| 申请公布号 | CN112838471A | 申请公布日 | 2021-05-25 |
| 分类号 | H01S5/042(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 陈博;赵浩;张静;黎载红 | 申请（专利权）人 | 上海波汇科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 201613上海市松江区中辰路299号1幢103室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种低功率半导体元器件及其基本电路，包括半导体基板，半导体基板，具有大致矩形状的主面，所述主面具有第一方向的第一边以及与所述第一方向交叉的第二方向的第二边，所述沟槽硅化物层至少部分嵌入所述半导体衬底，其电气连接且接触于所述沟槽硅化物层，其电气连接至所述第一与第二晶体管的一个的栅极以及电气连接至所述第一区域互连层，由一个或者多个晶体管复合而成的大功率发射极跟随方式的晶体管组合，采用晶体管组合能再满足大电流的要求下又能够提供较低的发射极与集电机电压差，由此带来进一步降低供电电源电压的可能。 |
