一种25Gbs高速调制DFB激光器芯片的制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202011618721.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112864091A | 公开（公告）日 | 2021-05-28 |
| 申请公布号 | CN112864091A | 申请公布日 | 2021-05-28 |
| 分类号 | H01S5/06(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I;H01S5/026(2006.01)I;H01L21/8252(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I;H01S5/12(2021.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 陈博;赵浩;张静;黎载红 | 申请（专利权）人 | 上海波汇科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 201613上海市松江区中辰路299号1幢103室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种25Gbs高速调制DFB激光器芯片的制作方法，其特征在于，所述DFB激光器芯片的制作方法包括以下步骤：芯片设计：在设计DFB激光器芯片是会通过多个团队进行设计；圆晶生产：先进行光刻，然后对圆晶进行加工，使其更圆晶达到规格，完成圆晶的初步加工，圆晶检测：通过针测的方式对每个晶粒进行电气特性检测，一般每个芯片的拥有的晶粒数量是庞大的，从而需要长时间的测试，芯片封装，将同种芯片内核封装为不同的形式，提高产品的能力，本发明通过优先向对DFB激光器的精准以及带宽等方向进行设计，使其本装置相较于传统的装置，能对激光位置进行校准，使其本芯片可控制激光对其他物体进行高精度的切割。 |
