同轴磁控溅射靶
基本信息
| 申请号 | CN93214070.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN2159398Y | 公开（公告）日 | 1994-03-23 |
| 申请公布号 | CN2159398Y | 申请公布日 | 1994-03-23 |
| 分类号 | C23C14/34 | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 倪振中 | 申请（专利权）人 | 昆明航天科发镀膜公司 |
| 代理机构 | 云南省专利事务所 | 代理人 | 孙月红 |
| 地址 | 650206云南省昆明市东郊八公里通宇301昆明物资站 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供一种可应用于大面积基板上镀装饰性铬膜和碳化钨、超硬膜以及多元素材料混合膜的磁控溅射靶。它是由非磁性金属基体(1)、磁体(2)、隔离片(3)、冷却水管(4)组成。靶基体外层采用高硬度、高熔点金属制做的靶环(5)，环状套装结构，可通过移动磁环位置来改变靶材的溅射部位，同时也便于更换有缺陷靶环，靶材利用率可提高至70％以上，为无污染镀膜提供了一种适用于工业化生产的靶材。本实用新型具有刻蚀均匀度好，刻蚀面积大，沉积速度高，薄膜均匀度好，结构简单、易制做特点。 |
