一种高结合力氮化铝覆铜陶瓷基板
基本信息
| 申请号 | CN202121126397.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN214797405U | 公开（公告）日 | 2021-11-19 |
| 申请公布号 | CN214797405U | 申请公布日 | 2021-11-19 |
| 分类号 | H01L23/498（2006.01）I;H01L21/48（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王敏 | 申请（专利权）人 | 南昌光谷光电工业研究院有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 330000江西省南昌市高新技术产业开发区艾溪湖北路699号101#主厂房1层101室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供了一种高结合力氮化铝覆铜陶瓷基板，包括粗化后的氮化铝陶瓷基板，与所述粗化后的氮化铝陶瓷基板接触的第一结合层，与第一结合层接触的第二铜层及第二铜层表面处理层，所述第一结合层由一种金属或两种以上金属组合，通过对氮化铝陶瓷基板进行粗化，提升表面的粗糙程度，形成氧化铝薄层后再与第一结合层的金属薄膜进行连接，提高了氮化铝陶瓷基板表面的结合度，进一步提升于氮化铝陶瓷基板与所述第二铜层的结合力，大大解决半导体模块在长时间的工作后，易出现氮化铝陶瓷和铜层分离，导致半导体模块性能大幅度下降甚至失效的风险。 |
