薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法、显示装置
基本信息
| 申请号 | CN202110378794.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113113475A | 公开（公告）日 | 2021-07-13 |
| 申请公布号 | CN113113475A | 申请公布日 | 2021-07-13 |
| 分类号 | H01L29/08（2006.01）I;H01L29/786（2006.01）I;H01L27/12（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L21/77（2017.01）I;G02F1/1362（2006.01）I;G02F1/1368（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 汪涛;高锦成;钱海蛟;陈亮;赵立星;刘泽旭;张瑞锋;毛金翔;张冠永;陆文涛;姜涛 | 申请（专利权）人 | 合肥京东方显示技术有限公司 |
| 代理机构 | 北京安信方达知识产权代理有限公司 | 代理人 | 解婷婷;曲鹏 |
| 地址 | 230012安徽省合肥市新站区新站工业物流园内A组团E区15幢综合楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本公开提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及其制备方法及显示装置。所述薄膜晶体管包括依次设置在基底上的栅电极、栅绝缘层、有源层、掺杂层和源漏电极层，其中所述栅绝缘层、有源层、掺杂层和源漏电极层通过同一次图案化工艺形成，所述源漏电极层包括源电极和漏电极，在垂直基底方向上，所述薄膜晶体管包括源电极区、沟道区和漏电极区，所述掺杂层包括位于所述源电极区的源极掺杂层，以及位于所述漏电极区的漏极掺杂层，在所述源电极区，所述源极掺杂层在基底的正投影大于所述有源层在基底的正投影；在所述漏电极区，所述漏极掺杂层在基底的正投影大于所述有源层在基底的正投影。可以消除由于半导体拖尾造成的水波纹不良。 |
