一种低温度系数金属箔检测电阻
基本信息
| 申请号 | CN201921338552.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN211263557U | 公开（公告）日 | 2020-08-14 |
| 申请公布号 | CN211263557U | 申请公布日 | 2020-08-14 |
| 分类号 | G01R1/20(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 沃飞 | 申请（专利权）人 | 上海三下电子科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 201417上海市奉贤区柘林镇胡桥立新村630号第5幢 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种低温度系数金属箔检测电阻，包括固定板、检测电阻本体和移动框，所述固定板的一端固定有辅助块，固定板上设置有对称的滑槽，滑槽内滑动设置有移动框，移动框内滑动设置有若干载体块，载体块上固定有导线，导向两端固定有导电端子一，所述检测电阻本体由组合电阻一和组合电阻二交错连接组成，其中最靠近辅助块的组合电阻一固定在固定板上且其侧面固定有导电端子三，其余组合电阻一和组合电阻二与载体块固定连接，所述组合电阻一的两侧开设有连接槽，组合电阻二的两端固定有导电端子一；所述辅助块靠近导电端子三的一侧面开设对应的契合槽，所述辅助块内设置有“Y”型导向槽，“Y”型导向槽与契合槽连接。 |
