一种宝石单晶生长方法
基本信息
| 申请号 | CN201510113625.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104711676B | 公开（公告）日 | 2017-05-24 |
| 申请公布号 | CN104711676B | 申请公布日 | 2017-05-24 |
| 分类号 | C30B29/20(2006.01)I;C30B17/00(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 罗仁辉;秦英谡;马中琦;杨明超 | 申请（专利权）人 | 内蒙古京晶光电科技有限公司 |
| 代理机构 | 包头市专利事务所 | 代理人 | 庄英菊 |
| 地址 | 014030 内蒙古自治区包头市青山区装备制造园区新北区新北路15号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种单晶生长方法，具体涉及一种宝石单晶生长方法。本发明在分段式热场结构长晶炉中，通过控制不同位置加热器功率配比以及功率降速配比，使晶体在热场环境下完成引晶、扩肩、等径生长以及退火冷却。本发明通过调整加热器上中下三部分的功率配比以及降速配比，可在晶体生长的不同阶段营造最适合晶体生长的热环境，既实现了熔体梯度的高度可调，也可实现温度控制的直观性与精确性，保持良好的生长界面，最终生长出的晶体外形光洁整齐、形状规则、无回熔，晶体透亮、缺陷少、利用率高，晶体良率可达85%以上。本发明适用于各种重量级别的蓝宝石生长过程，尤其适用于80‑150kg级别的蓝宝石晶体生长。 |
