一种量子点及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202011563056.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112680214A | 公开（公告）日 | 2021-04-20 |
| 申请公布号 | CN112680214A | 申请公布日 | 2021-04-20 |
| 分类号 | C09K11/02(2006.01)I;C09K11/88(2006.01)I | 分类 | 染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用; |
| 发明人 | 赵治强;高晓斌;阴德贺 | 申请（专利权）人 | 北京北达聚邦科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 | 代理人 | 周淑歌 |
| 地址 | 102629北京市大兴区中关村科技园区大兴生物医药产业基地庆丰西路29号A区一层1101-3房间 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种量子点的制备方法，先制得ZnCdSe晶种后在其上生长ZnSe过渡层，然后依次包覆ZnSe壳层和ZnS壳层。本发明还公开了上述制备方法制得的量子点。本发明通过ZnSe过渡层的设置，巩固核与壳层之间的联系，有效控制核及各壳层之间的过渡，减小晶格之间的缺陷；通过脂肪酸抑制量子点中其他晶种的形成，从而控制量子点晶种的成分、大小与均一度，补加阴离子进行晶种的长大成核，形成表面具有ZnSe过渡层的量子点核结构，之后依次外延生长ZnSe壳层和ZnS壳层，减小混晶结构核各组分之间、核与壳之间的晶格应力，制备的量子点可见光内峰位可调、半峰宽窄、量子效率高。 |
