一种改善优值的新型场效应器件结构及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202110273843.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113035945A | 公开（公告）日 | 2021-06-25 |
| 申请公布号 | CN113035945A | 申请公布日 | 2021-06-25 |
| 分类号 | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 毛昊源 | 申请（专利权）人 | 海速芯（杭州）科技有限公司 |
| 代理机构 | 连云港联创专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 刘刚 |
| 地址 | 214000 江苏省无锡市新吴区弘毅路8号901-910室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种改善优值的新型场效应器件结构及其制造方法，其中一种改善优值的新型场效应器件结构，包括漏极金属层、第一导电类型重掺杂衬底、第一导电类型外延层，所述第一导电类型外延层中部开设有元胞沟槽……；一种改善优值的新型场效应器件结构的制造方法包括步骤S1刻蚀形成第二导电类型体区形成和元胞沟槽，S2制备屏蔽栅多晶硅的倒阶梯状的部分，S3制备控制栅多晶硅并形成完整的屏蔽栅多晶硅……；本发明提供的具有阶梯状屏蔽栅结构可降低器件的栅电容并通过优化器件内部的电场线分布来改善导通电阻。即这种结构改善了低压超结MOS器件的FOM，减少了器件开关工作时的功耗并提升了元胞的抗漏极电压震荡对栅极的影响能力。 |
