FLASH存储器的数据保护方法、装置、电子设备及存储介质
基本信息
申请号 | CN202110533052.5 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN113707206A | 公开(公告)日 | 2021-11-26 |
申请公布号 | CN113707206A | 申请公布日 | 2021-11-26 |
分类号 | G11C16/34(2006.01)I | 分类 | 信息存储; |
发明人 | 邓玉良;殷中云;杨彬;庄伟坚;朱晓锐 | 申请(专利权)人 | 深圳市国微电子有限公司 |
代理机构 | 深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙) | 代理人 | 鲍竹 |
地址 | 518057广东省深圳市高新技术产业园区高新南一道国微大厦 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明提供了一种FLASH存储器的数据保护方法,所述FLASH存储器包括多个FLASH存储单元,所述方法包括:对各FLASH存储单元进行循环擦写测试,并记录擦写次数和每次擦写的时长;根据循环擦写测试结果建立各FLASH存储单元的数据磨损函数;根据各数据磨损函数分别建立数据磨损查找表,并将各所述数据磨损查找表存进相应的FLASH存储单元中;在对各FLASH存储单元擦写时记录擦写次数,并与其自身的数据磨损查找表进行对照评估数据磨损程度,将数据从高磨损的FLASH存储单元转移到低磨损的FLASH存储单元。本发明通过预估FLASH存储单元的磨损程度,提前将数据转移到低磨损的FLASH存储单元,保证了数据的安全。 |
