FLASH存储器的数据保护方法、装置、电子设备及存储介质

基本信息

申请号 CN202110533052.5 申请日 -
公开(公告)号 CN113707206A 公开(公告)日 2021-11-26
申请公布号 CN113707206A 申请公布日 2021-11-26
分类号 G11C16/34(2006.01)I 分类 信息存储;
发明人 邓玉良;殷中云;杨彬;庄伟坚;朱晓锐 申请(专利权)人 深圳市国微电子有限公司
代理机构 深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙) 代理人 鲍竹
地址 518057广东省深圳市高新技术产业园区高新南一道国微大厦
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了一种FLASH存储器的数据保护方法,所述FLASH存储器包括多个FLASH存储单元,所述方法包括:对各FLASH存储单元进行循环擦写测试,并记录擦写次数和每次擦写的时长;根据循环擦写测试结果建立各FLASH存储单元的数据磨损函数;根据各数据磨损函数分别建立数据磨损查找表,并将各所述数据磨损查找表存进相应的FLASH存储单元中;在对各FLASH存储单元擦写时记录擦写次数,并与其自身的数据磨损查找表进行对照评估数据磨损程度,将数据从高磨损的FLASH存储单元转移到低磨损的FLASH存储单元。本发明通过预估FLASH存储单元的磨损程度,提前将数据转移到低磨损的FLASH存储单元,保证了数据的安全。