一种三维芯片的制造方法以及三维芯片

基本信息

申请号 CN202110935865.7 申请日 -
公开(公告)号 CN113675097A 公开(公告)日 2021-11-19
申请公布号 CN113675097A 申请公布日 2021-11-19
分类号 H01L21/50(2006.01)I;H01L23/00(2006.01)I;H01L25/16(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 邓玉良;唐越;殷中云;方晓伟;朱晓锐;郑伟坤 申请(专利权)人 深圳市国微电子有限公司
代理机构 深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙) 代理人 郑姣
地址 518057广东省深圳市高新技术产业园区高新南一道国微大厦
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了一种三维芯片的制造方法以及三维芯片。其中,三维芯片包括多个晶片,多个晶片依照预设次序堆叠且互连,多个晶片上分别集成有加密模块,多个晶片上的加密模块互连;其中,加密模块用于对各晶片互连的合法性进行确认,以及对各晶片间传输的数据进行加密。三维芯片的制造方法包括:分别在多个晶片上集成加密模块;对多个晶片依照预设次序进行堆叠,以使各晶片上的加密模块互连。本发明能够有效地提升三维芯片于制造和使用时的安全性。