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一种3D堆叠存储器的温控自刷新方法及温控自刷新电路

基本信息

申请号 CN201911257341.6 申请日 -
公开（公告）号 CN111145807B 公开（公告）日 2021-12-31
申请公布号 CN111145807B 申请公布日 2021-12-31
分类号 G11C11/406（2006.01）I 分类 信息存储;
发明人 邓玉良;朱晓锐;殷中云;方晓伟;杨彬;唐越;陈佩纯;郑伟坤 申请（专利权）人 深圳市国微电子有限公司
代理机构 深圳中一联合知识产权代理有限公司 代理人 胡鹏飞
地址 518000广东省深圳市南山区高新南一道015号国微研发大厦六层A
法律状态 -

摘要

摘要 一种3D堆叠存储器的温控自刷新方法及3D堆叠存储器的温控自刷新电路；温控自刷新方法包括：测量待刷新的存储器的温度，并生成内部刷新速率；接收外部刷新速率；根据内部刷新速率和外部刷新速率得到待刷新的存储器的目标刷新速率；控制待刷新的存储器以目标刷新速率进行刷新；因此本实施例针对每个存储器分别设定对应的内部刷新速率，结合内部刷新速率和外部刷新速率能够对于待刷新的存储器进行均衡的自适应刷新控制，保障了3D堆叠存储器的数据存储安全性，提高了3D堆叠存储器的可靠性和稳定性。