一种STT-MRAM的双端自检写电路及数据写入方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种STT-MRAM的双端自检写电路及数据写入方法

基本信息

申请号	CN201911077925.5	申请日	-
公开（公告）号	CN110993001B	公开（公告）日	2021-10-08
申请公布号	CN110993001B	申请公布日	2021-10-08
分类号	G11C11/16	分类	信息存储;
发明人	刘冬生;陆家昊;李豪;严进;刘波;金子睿;喻红梅;鄢奉赜	申请（专利权）人	浙江驰拓科技有限公司
代理机构	华中科技大学专利中心	代理人	李智
地址	430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种STT‑MRAM的双端自检写电路及数据写入方法，属于存储器STT‑MRAM电路设计领域，包括：写操作执行电路，其两个输入端分别用于接收写操作类型控制信号IN和连接至自检控制电路的输出端，其两个输出端分别与存储单元的BL端和SL端相连，用于根据控制信号开启或关闭写操作通路，并根据给存储单元提供写电流以写入数据；自检控制电路，其六个输入端分别用于接收写操作类型控制信号IN、信号写使能信号WR_en、启动信号PRE_en以及与存储单元的BL端和SL端相连，用于在写操作启动阶段产生开启写操作通路的控制信号，在写操作执行阶段检测存储单元的BL端或SL端的电压，以在存储单元达到预期状态时产生关闭写操作通路的控制信号。本发明能够缩短STT‑MRAM存储单元的写脉冲时间。