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MTJ器件的制作方法

基本信息

申请号 CN201611075608.6 申请日 -
公开（公告）号 CN108123029B 公开（公告）日 2021-08-27
申请公布号 CN108123029B 申请公布日 2021-08-27
分类号 H01L43/12;H01L43/08 分类 基本电气元件;
发明人 喻涛;左正笏;陈志刚;谷勋;刘瑞盛 申请（专利权）人 浙江驰拓科技有限公司
代理机构 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人 赵囡囡;吴贵明
地址 311121 浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢311
法律状态 -

摘要

摘要 本申请提供了一种MTJ器件的制作方法。该制作方法包括：步骤S1，在衬底表面上设置功能膜，形成预成品，功能膜包括MTJ膜；步骤S2，在功能膜的远离衬底的表面上设置离子注入掩膜材料，并对离子注入掩膜材料进行图形化处理得到离子注入掩膜；步骤S3，对设置有离子注入掩膜的预成品依次进行氧离子注入与退火，在离子注入掩膜之外的区域形成氧离子注入膜；步骤S4，去除氧离子注入膜，形成凹陷；步骤S5，在凹陷内设置介电材料，且使介电材料和离子注入掩膜的远离衬底的表面在同一平面，其中，介电材料的介电常数在1.4～7.0之间。该制作方法制作得到的MTJ器件的介电常数较小，使得MRAM芯片的运算速度较快。