一种基于嵌入式自旋转移力矩磁随机存储器的SoC存储系统专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种基于嵌入式自旋转移力矩磁随机存储器的SoC存储系统

基本信息

申请号	CN201911154402.6	申请日	-
公开（公告）号	CN110968544B	公开（公告）日	2021-10-08
申请公布号	CN110968544B	申请公布日	2021-10-08
分类号	G06F15/78（2006.01）I	分类	计算；推算；计数;
发明人	刘冬生;刘星杰;卢楷文;张聪;刘波	申请（专利权）人	浙江驰拓科技有限公司
代理机构	华中科技大学专利中心	代理人	李智
地址	430074湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种基于嵌入式自旋转移力矩磁随机存储器的SoC存储系统，包括：存储器控制模块、eSTT‑MRAM；所述存储器控制模块用于分别采用三组存储器控制信号对eSTT‑MRAM进行取指、读写和程序下载操作，完成对eSTT‑MRAM的时分复用；所述eSTT‑MRAM用于使电流极化形成自旋电流，并通过自旋电流中的自旋电子将自旋矩传递给自由层的磁矩，使其依据自旋电流的方向而发生转动，实现写入信息“0”或“1”，存储速度快。通过将eSTT‑MRAM划分为更多的功能区，将不同类型的传统存储器在SoC中执行的功能集中在一片eSTT‑MRAM上，实现功能更复杂的单一存储系统，大大提高了系统的存储速度，减小了存储系统的面积。