基于III‑V族氮化物半导体的LED全彩显示器件结构及制备方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

基于III‑V族氮化物半导体的LED全彩显示器件结构及制备方法

基本信息

申请号	CN201611263484.4	申请日	-
公开（公告）号	CN106876406A	公开（公告）日	2017-06-20
申请公布号	CN106876406A	申请公布日	2017-06-20
分类号	H01L27/12(2006.01)I;H01L21/77(2017.01)I;G09G3/32(2016.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	张希娟	申请（专利权）人	上海君万微电子科技有限公司
代理机构	上海光华专利事务所	代理人	张希娟;上海君万微电子科技有限公司
地址	226019 江苏省南通市崇川区中南世纪花城18#1203
法律状态	-

摘要

本发明提供一种基于III‑V族氮化物半导体的LED全彩显示器件结构及制备方法，包括：有源矩阵驱动硅基背板，包括若干个驱动单元；LED微像素阵列，位于有源矩阵驱动硅基背板表面，包括若干个LED微像素；各LED微像素均包括发光材料层及阳极，各LED微像素的阳极分别与与其对应的驱动单元的阳极相连接；发光材料层位于LED微像素的阳极表面；第一导电类型III‑V族氮化物层，位于各LED微像素的发光材料层表面，且将各LED微像素相连接；彩色显示所需的颜色转换膜，位于第一导电类型的III‑V族氮化物层表面。各LED微像素及各颜色转换膜均通过厚度很小的第一导电类型III‑V族氮化物层相连接，既可以缩小相邻LED微像素的间距，以提高分辨率，又可以降低相邻颜色转换膜之间的串扰。