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一种提升p型GaN掺杂浓度的外延结构的制备方法及结构

基本信息

申请号 CN201910534586.2 申请日 -
公开（公告）号 CN110246753B 公开（公告）日 2021-07-13
申请公布号 CN110246753B 申请公布日 2021-07-13
分类号 H01L21/02;H01L29/20;H01L29/207 分类 基本电气元件;
发明人 李仕强;王东盛;李亦衡;张葶葶;朱廷刚 申请（专利权）人 江苏能华微电子科技发展有限公司
代理机构 苏州创元专利商标事务所有限公司 代理人 王桦
地址 215600 江苏省苏州市张家港市杨舍镇福新路2号B12幢（能华微电子）
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种提升p型GaN掺杂浓度的外延结构的制备方法，包括在衬底上生长缓冲层，在所述的缓冲层上生长p型GaN层，在生长所述的p型GaN层时，掺入活化剂，所述的活化剂为In和/或Al，所述的活化剂的摩尔流量为10~300umol/min。一种提升p型GaN掺杂浓度的外延结构，其由所述的制备方法制得。本发明在生长p型GaN时引入活化剂，使得在提升p型GaN掺杂浓度的同时又能保证p型GaN的质量不受影响，可以获得掺杂浓度至少为2e18/cm‑3的p型GaN结构。