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一种GaN HEMT器件中选择性去除GaN的方法及器件

基本信息

申请号 CN202011506761.6 申请日 -
公开（公告）号 CN112635555A 公开（公告）日 2021-04-09
申请公布号 CN112635555A 申请公布日 2021-04-09
分类号 H01L29/778;H01L21/335 分类 基本电气元件;
发明人 李亦衡;武乐可;夏远洋;黄克强;朱友华;朱廷刚 申请（专利权）人 江苏能华微电子科技发展有限公司
代理机构 苏州创元专利商标事务所有限公司 代理人 王桦
地址 215600 江苏省苏州市张家港市杨舍镇福新路2号B12幢（能华微电子）
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种GaNHEMT器件中选择性去除GaN的方法，包括形成外延结构，在p‑GaN层上沉积钝化层，对钝化层进行蚀刻，仅保留用于形成栅极的p‑GaN区域上方的钝化区域，对p‑GaN层的进行热分解，直至除p‑GaN区域以外的所有p‑GaN层完全去除。一种器件，其包括由GaNHEMT器件中选择性去除GaN的方法形成的结构。本发明的方法通过热分解将GaN完全去除后，下面的AlGaN“停止”层保持不受损，从而保持二维电子气（2DEG）完整性，提升了器件的性能和质量。