一种T形栅极金属下部栅极沟道开口的自对准方法及器件
基本信息
| 申请号 | CN202011500532.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112614777A | 公开（公告）日 | 2021-04-06 |
| 申请公布号 | CN112614777A | 申请公布日 | 2021-04-06 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;G03F7/42(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李亦衡;黄克强;刘晓鹏;沈峰;王强;朱廷刚 | 申请（专利权）人 | 江苏能华微电子科技发展有限公司 |
| 代理机构 | 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 王桦 |
| 地址 | 215600江苏省苏州市张家港市杨舍镇福新路2号B12幢(能华微电子) | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种T形栅极金属下部栅极沟道开口的自对准方法，包括成型导体/半导体层、沉积电介质层，在电介质层上形成第一光刻胶层、第二光刻胶层，第一光刻胶层的光敏性高于第二光刻胶层，蚀刻形成栅极沟道开口，调整第二光刻胶层的厚度、开口形状，沉积金属导体，剥离第一光刻胶层、第二光刻胶层以及位于第二光刻胶层上的金属导体。一种器件，其包括由T形栅极金属下部栅极沟道开口的自对准方法形成的栅极结构。本发明方法形成的栅极导体在电介质上悬垂/延伸，实现了最终栅极导体相对于电介质开口的自对准，降低了栅极电阻（Rg）的同时也降低了寄生电容（Cgs/Cgd）。 |
