一种在GaNHEMT器件中形成多功能p-GaN电极的方法及器件
基本信息
| 申请号 | CN202011500550.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112614778A | 公开（公告）日 | 2021-04-06 |
| 申请公布号 | CN112614778A | 申请公布日 | 2021-04-06 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李亦衡;武乐可;夏远洋;张葶葶;朱友华;朱廷刚 | 申请（专利权）人 | 江苏能华微电子科技发展有限公司 |
| 代理机构 | 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 王桦 |
| 地址 | 215600江苏省苏州市张家港市杨舍镇福新路2号B12幢(能华微电子) | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种在GaN HEMT器件中形成多功能p‑GaN电极的方法，包括形成外延结构，使二维电子气完全耗尽，对p‑GaN层进行蚀刻，保留用于形成栅极的p‑GaN区域，使二维电子气重新出现，沉积钝化层，在注入电极的位置对钝化层进行蚀刻至势垒层形成空穴，在空穴位置的势垒层上生长附加势垒层、p‑GaN层，并保持二维电子气不耗尽，形成栅极，形成源极、漏极，在p‑GaN层上注入电极，并使注入电极自动连接到漏极，在p‑GaN区域处形成电介质层。一种器件，由本发明方法形成。本发明可以适用于形成常开型GaN基MIS‑HEMT，器件有效缓解“电流崩塌”问题，提高了器件整体性能。 |
