一种晶格匹配的硅基GaInNP垂直腔面发射激光器
基本信息
| 申请号 | CN202011033152.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112152084A | 公开（公告）日 | 2020-12-29 |
| 申请公布号 | CN112152084A | 申请公布日 | 2020-12-29 |
| 分类号 | H01S5/183;H01S5/187;H01S5/343 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 郑君雄;张昭宇;张保平;冉宏宇;王青 | 申请（专利权）人 | 深圳市飞研智能科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 518000 广东省深圳市龙岗区龙城街道华兴路26号天汇大厦9楼903A/905/906号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种晶格匹配的硅基GaInNP垂直腔面发射激光器，涉及半导体激光器的技术领域，包括Si衬底，为n型Si单晶片，在Si衬底的上表面按照层状叠加结构从上至下依次设置有n型GaNP缓冲层、n型DBR结构层、GaNP/GaInNP/GaNP多量子阱有源区和p型DBR结构层，在所述Si衬底下表面制备有下电极，在所述p型DBR结构层上表面制备有上电极。本发明可基于晶硅衬底制备得到激射波长在730～950nm之间的垂直腔面发射激光器，可推进硅光子集成技术的发展，加快垂直腔面发射激光器的应用。 |
