一种高动态范围低噪声的CMOS 传感器芯片
基本信息
| 申请号 | CN201310096801.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103139491A | 公开（公告）日 | 2013-06-05 |
| 申请公布号 | CN103139491A | 申请公布日 | 2013-06-05 |
| 分类号 | H04N5/357(2011.01)I;H04N5/374(2011.01)I;H04N5/3745(2011.01)I | 分类 | 电通信技术; |
| 发明人 | 林昕;林丰成;赵晓锦;潘晓芳;张勖凯 | 申请（专利权）人 | 天利半导体（深圳）有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 518000 广东省深圳市南山区科技园南区高新南一道中国科技开发院3号塔楼7楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种高动态范围低噪声的CMOS传感器芯片，其包括：电源单元及其与该电源单元连通的光强检测单元、采样单元、积分单元和反馈检出单元，以及位切换控制单元，其中：所述光强检测单元包括光强检测模组、复位模组和计数存储位模组，所述光强检测模组在达到积分触发时间后，藉由该复位模组对该光强检测模组的电压进行复位，并通过该计数存储位模组来记录并存储该时间内积分触发的次数，藉由此等形状、结构及其连接关系的结合，实现了该高动态范围低噪声的CMOS传感器芯片的设计构造。 |
