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一种SiC单晶晶向角度补偿加工装置

基本信息

申请号	CN201310671401.5	申请日	-
公开（公告）号	CN103692301B	公开（公告）日	2016-01-20
申请公布号	CN103692301B	申请公布日	2016-01-20
分类号	B24B5/36(2006.01)I;B24B41/06(2012.01)I	分类	磨削；抛光;
发明人	王英民;李斌;徐伟;毛开礼;周立平;王利忠;侯晓蕊;戴鑫;郝唯佑;田牧	申请（专利权）人	山西烁科新材料有限公司
代理机构	山西科贝律师事务所	代理人	中国电子科技集团公司第二研究所
地址	030024 山西省太原市和平南路115号
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种SiC单晶晶向角度补偿加工装置，解决了现有技术的平面磨床与外圆磨床之间转换所带来的加工成品率低以及加工效率低的问题。包括锥柄偏心盘、转轴、压紧环、偏心连接轴、基座。锥柄偏心盘通过转轴与偏心连接轴相连，利用压紧环将偏心连接轴与锥柄偏心盘相互固定，保证偏心连接轴和锥柄偏心盘紧密配合，再利用外圆磨床切削SiC晶体原生表面时二者不发生相对转动，基座通过粘接剂可与晶体固定，将粘好晶体的基座通过销子固定于偏心连接轴的凹槽内，最后根据配套的计算方法可以完成SiC晶体滚圆和角度补偿的工作。该发明结构简单，操作方便，仅利用外圆磨床就可以完成SiC单晶滚圆和角度补偿工作，有效提高加工成品率和加工效率。