一种SiC单晶生长设备中坩埚独立旋转机构
基本信息
| 申请号 | CN201521060739.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN205313716U | 公开（公告）日 | 2016-06-15 |
| 申请公布号 | CN205313716U | 申请公布日 | 2016-06-15 |
| 分类号 | C30B29/36(2006.01)I;C30B23/00(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 毛开礼;郎鹏;李斌;王英民;周立平;戴鑫;侯晓蕊;王利忠 | 申请（专利权）人 | 山西烁科新材料有限公司 |
| 代理机构 | 山西科贝律师事务所 | 代理人 | 中国电子科技集团公司第二研究所;山西烁科新材料有限公司 |
| 地址 | 030024 山西省太原市和平南路115号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种SiC单晶生长设备中坩埚独立旋转机构，解决了SiC单晶形貌、质量不均匀的问题。包括下法兰盘（9），在下法兰盘（9）的顶面上固定设置有外保温支撑架（6），在外保温支撑架（6）上固定设置有坩埚的外保温层（7），在外保温层（7）中活动设置有桶型坩埚（11），在桶型坩埚（11）的顶面上设置有上保温层（8），在桶型坩埚（11）的下底面上设置有下保温层（10），在下保温层（10）的下底面上连接有桶型坩埚支架（5），在下法兰盘（9）上设置有电机（1），在电机（1）的输出轴上连接有主动齿轮（3），在桶型坩埚支架（5）上设置有环形齿条（4），主动齿轮（3）与环形齿条（4）啮合在一起的。有效地提升了温场结构对称性。 |
