一种类LED结构的太赫兹自振荡源及太赫兹频段发射信号阵列
基本信息
| 申请号 | CN202022947126.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN213936234U | 公开（公告）日 | 2021-08-10 |
| 申请公布号 | CN213936234U | 申请公布日 | 2021-08-10 |
| 分类号 | H01L47/02（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杨军;李磊;武华锋 | 申请（专利权）人 | 西安电子工程研究所 |
| 代理机构 | 西北工业大学专利中心 | 代理人 | 刘新琼 |
| 地址 | 710100陕西省西安市长安区凤栖东路 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种类LED结构的太赫兹自振荡源,将碰撞雪崩渡越时间二极管IMPATT的PN结管芯与产生太赫兹信号的谐振腔体进行一体化设计，通过微电子工艺组合在一体，设计必要的恒流源激励端口和输出接口，形成一个类似于发光二极管LED结构的太赫兹自振荡信号源，也可以形成太赫兹频段发射信号阵列，用于主被动探测系统的发射源或泵浦信号。该技术可用于太赫兹目标探测雷达、主被动成像和宽带通信等领域。 |
