一种氧化物半导体薄膜晶体管
基本信息
| 申请号 | CN201420516491.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN204243048U | 公开（公告）日 | 2015-04-01 |
| 申请公布号 | CN204243048U | 申请公布日 | 2015-04-01 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 司红康;金一琪 | 申请（专利权）人 | 六安市华海电子器材科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 237005 安徽省六安市金安区梅山北路 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型涉及一种氧化物半导体薄膜晶体管，在所述源漏极金属电极层与所述源漏极区域接触的区域引入氢浓度分布。在所述源极金属电极层与所述源极区域界面处，以及所述漏极金属电极与所述漏极区域的界面处引入的氢浓度最高，并且在远离界面处的方向上引入的氢浓度逐渐变小。进一步的，在靠近所述沟道区域的所述源漏极区域部分没有覆盖所述源漏极金属电极层，且在所述源漏极金属电极层远离所述源漏极区域的一端以及沟道区域内没有引入的氢浓度分布，本实用新型在不导致氧化物薄膜晶体管性能下降的情况下，能够有效降低氧化物半导体薄膜晶体管的串联电阻。 |
