一种氧化物半导体薄膜晶体管
基本信息
| 申请号 | CN201420542610.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN204243049U | 公开（公告）日 | 2015-04-01 |
| 申请公布号 | CN204243049U | 申请公布日 | 2015-04-01 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 司红康;金一琪 | 申请（专利权）人 | 六安市华海电子器材科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 237005 安徽省六安市金安区梅山北路 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种氧化物半导体薄膜晶体管，是在绝缘衬底(101)上形成AL源漏电极层(102)，该源漏电极层(102)的上表面与绝缘衬底的上表面在同一平面上；将绝缘衬底置入镀膜机，在氢气氛中蒸镀一层极薄的富氢Al膜(301)；将绝缘衬底置入磁控溅射设备，500-600摄氏度温度下，在绝缘衬底(101)沉积氧化物半导体层，以获得源漏电极层与氧化物半导体层(103)的界面区域引入的氢浓度分布；在氧化物半导体层(103)上沉积氮化硅栅极绝缘层(104)，该栅极绝缘层(104)与源漏电极层(102)之间在水平面上具有一最小间隔(d)。 |
