一种具有鳍式结构的半导体器件及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202210603401.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114695115A | 公开（公告）日 | 2022-07-01 |
| 申请公布号 | CN114695115A | 申请公布日 | 2022-07-01 |
| 分类号 | H01L21/335（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/10（2006.01）I;H01L29/205（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 郭炜;戴贻钧;叶继春 | 申请（专利权）人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 315201浙江省宁波市镇海区庄市大道519号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请公开了一种具有鳍式结构的半导体器件及其制备方法，涉及半导体领域，该方法包括获得形成有图形化极性调节层的衬底；通过调节Ⅴ族源与Ⅲ族源的输入比生长鳍式异质结，鳍式异质结包括在衬底未被图形化极性调节层覆盖的区域的氮极性异质结，以及位于图形化极性调节层上的金属极性异质结，氮极性异质结和金属极性异质结的高度不同；制备电极，得到具有鳍式结构的半导体器件。图形化极性调节层可以控制金属极性异质结和氮极性异质结的分布，在不同Ⅴ族源与Ⅲ族源的输入比下，金属极性异质结和氮极性异质结生长高度不同，可直接生长出鳍式异质结，无需刻蚀，既可避免刻蚀带来的损伤，还避免刻蚀损伤造成的沟道漏电通道，改善关态漏电流。 |
