一种大功率雪崩整流二极管的生产方法
基本信息
| 申请号 | CN200910100121.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN101593694A | 公开（公告）日 | 2009-12-02 |
| 申请公布号 | CN101593694A | 申请公布日 | 2009-12-02 |
| 分类号 | H01L21/329(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 叶锦铭 | 申请（专利权）人 | 缙云县志远电子有限公司 |
| 代理机构 | 杭州赛科专利代理事务所 | 代理人 | 王桂名 |
| 地址 | 321402浙江省缙云县洋山工业区笕溪路6号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种大功率雪崩整流二极管的生产方法，包括扩散、焊接、酸洗和封装步骤，所述的酸洗步骤中，将酸液温度控制在-30～-20℃对整流二极管进行腐蚀，酸洗时间为15～20分钟。本发明的生产方法通过对酸液进行低温控制，避免了酸洗工艺上的温升快、时间短所造成的器件一致性差、合格率低的缺陷，同等人工条件下可处理较现有技术10倍左右数量的二极管，较大幅度地提高了生产效率，降低了生产成本；且二极管产品电特性好，芯片合格率达到95％以上。 |
