用于制造半导体装置的方法
基本信息
| 申请号 | CN201010169713.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102054704A | 公开（公告）日 | 2011-05-11 |
| 申请公布号 | CN102054704A | 申请公布日 | 2011-05-11 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 金煜;李相晤 | 申请（专利权）人 | SK海力士半导体（中国）有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 魏金霞;田军锋 |
| 地址 | 韩国京畿道利川市 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种用于制造半导体装置的方法包括：使用硬掩模层作为阻障层来蚀刻半导体基片以形成限定出多个有源区域的沟槽；形成间隙填充层以对该沟槽内侧的一部分进行间隙填充，从而使该硬掩模层成为突起；形成覆盖该突起的两侧的间隔壁；使用掺杂的蚀刻阻障层作为蚀刻阻障层来移除间隔壁中的一个；及使用剩余的间隔壁作为蚀刻阻障层来蚀刻该间隙填充层，以形成暴露出该有源区域的一侧的侧沟槽。 |
