具有单侧接触的半导体器件及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201110009090.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102315160B | 公开（公告）日 | 2015-11-25 |
| 申请公布号 | CN102315160B | 申请公布日 | 2015-11-25 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 金裕松 | 申请（专利权）人 | SK海力士半导体（中国）有限公司 |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 郭放;张文 |
| 地址 | 韩国京畿道 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种制造半导体器件的方法，包括：通过刻蚀衬底形成多个第一沟槽；形成覆盖每个第一沟槽的两个侧壁的第一间隔件；通过刻蚀每个第一沟槽的底部形成多个第二沟槽；形成覆盖每个第二沟槽的两个侧壁的第二间隔件；通过刻蚀每个第二沟槽的底部形成多个第三沟槽；形成覆盖多个衬底的暴露出的表面的绝缘层；以及通过选择性地去除第二间隔件形成暴露出每个第二沟槽的一个侧壁的接触。 |
