离子注入和等离子体沉积设备以及采用等离子体处理薄膜的方法
基本信息
| 申请号 | CN201010510359.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN101956171A | 公开（公告）日 | 2011-01-26 |
| 申请公布号 | CN101956171A | 申请公布日 | 2011-01-26 |
| 分类号 | C23C14/46(2006.01)I;C23C14/48(2006.01)I;C23C14/56(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 谢新林;杨念群 | 申请（专利权）人 | 深圳市信诺泰创业投资企业（有限合伙） |
| 代理机构 | 中国商标专利事务所有限公司 | 代理人 | 万学堂;曾海艳 |
| 地址 | 518057 广东省深圳市南山区南海大道海王大厦住宅楼26B | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种离子注入和等离子体沉积设备，该设备包括离子源和真空室，其中，所述真空室壁上包括设置有抽真空口以及用于与所述离子源连通的开口；所述真空室内包括设置有放卷辊、冷却部件、收卷辊；所述冷却部件由至少所述1根冷却辊组成，所述冷却辊、所述放卷辊和所述收卷辊都相互平行，并且所述冷却辊的轴向与所述等离子体进入所述真空室的方向垂直；所述冷却辊与所述开口在水平高度上一一对应，或者所述开口与所述冷却辊在左右方向或者前后方向上一一对应；或者所述冷却辊相对应地位于所述开口的正下方或者正上方。本发明还提供了一种采用等离子体处理的方法。本发明提供的设备能够对薄膜进行连续的等离子体沉积和/或离子注入操作。 |
