一种具有抗干扰能力的光MOS继电器
基本信息
申请号 | CN202220176197.4 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN216751705U | 公开(公告)日 | 2022-06-14 |
申请公布号 | CN216751705U | 申请公布日 | 2022-06-14 |
分类号 | H03K17/785(2006.01)I | 分类 | 基本电子电路; |
发明人 | 李晓娇;李强;蹇兰 | 申请(专利权)人 | 贵州航天电器股份有限公司 |
代理机构 | 贵州派腾知识产权代理有限公司 | 代理人 | - |
地址 | 550009贵州省贵阳市经济技术开发区红河路7号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 一种具有抗干扰能力的光MOS继电器,包括发光二极管、光伏二极管阵列MOS管和电阻;电阻并联在发光二极管上;发光二极管的正极与外部输入正极电气连接;发光二极管的负极与外部输入负极电气连接;发光二极管与光伏二极管阵列隔离耦合;光伏二极管阵列的正极与MOS管的栅极连接,MOS管的漏极与外部的输出正极电气连接;光伏二极管阵列的负极与MOS管的源极连接后与外部的输出负极电气连接。当输入端加电时,发光二极管的导通压降为V导通,电阻与发光二极管并联,流经电阻的电流I电阻=V导通/R,输入接通电流I=I电阻+I二极管,根据需要的输入接通电流,选择合适的电阻;在输入接通电压不变的情况下,提高了输入接通电流,避免了干扰电流造成产品误导通。 |
