一种双圆极化相控阵天线阵列
基本信息
申请号 | CN202111206792.4 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN113644432B | 公开(公告)日 | 2022-02-22 |
申请公布号 | CN113644432B | 申请公布日 | 2022-02-22 |
分类号 | H01Q1/38(2006.01)I;H01Q1/48(2006.01)I;H01Q1/50(2006.01)I;H01Q9/16(2006.01)I;H01Q15/24(2006.01)I;H01Q21/00(2006.01)I;H01Q21/06(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 雷文兵;胡斌;刘聪 | 申请(专利权)人 | 成都锐芯盛通电子科技有限公司 |
代理机构 | 成都厚为专利代理事务所(普通合伙) | 代理人 | 刘应迁 |
地址 | 611731四川省成都市高新区(西区)科新路6号1栋1层 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明公开了一种双圆极化相控阵天线阵列,属于天线技术领域。包含有若干个相控阵天线阵元;相控阵天线阵元包含有微带贴片的辐射单元、双圆极化馈电网络、集中参数容性加载单元以及AMC反射地板;辐射单元包含有位置为一上一下的两个偶极子,两个偶极子呈十字交叉分布;偶极子的辐射臂均为渐变结构的椭圆形;偶极子的辐射臂末端均设置有集中参数容性加载单元;辐射单元置于AMC反射地板的正上方;双圆极化馈电网络为四馈点网络,分别给两个相邻的辐射臂提供90°或270°相位差的馈电,且能够实现左旋圆极化或右旋圆极化;双圆极化馈电网络包含有电桥组合单元,电桥组合单元采用GaAs工艺。实现超宽带和低剖面的双圆极化相控阵天线阵列。 |
